InP单晶片品质参数(VGF法生长)







品种 直径(inch) 类型 载流子浓度(cm-3) 电子迁移率(cm2/V.s) 电阻率(Ω.m) 错位密度(cm-2)
InP 2 N ≤1×1016 (3.5-4)×103
 ＜1×103
S-InP 2 N (0.5-1)×1017 (2-4)×103
 ＜500
3 (0.5-1)×1017 (2-4)×103
 ＜1×103
4 (0.5-1)×1017 (2-4)×103
 ＜2×103
Zn-InP 2/3/4 P (0.5-1)×1017 50-70
 ＜1×103
Fe-InP 2 SI
 ＞2000 ＞0.5×107 ＜2.5×103
3
4
晶片单位面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100），2英寸片标准厚度350±25μm，3英寸片标准厚度500±25μm，4英寸片标准厚度625±25μm，其他特殊规格根据要求加工。